檢索結果：共6筆資料 檢索策略： "電子工程系".dept (精準) and ckeyword.raw="拉曼"
個人化服務 ：
排序：
每頁筆數：
已勾選0筆資料
1
本論文主要利用純度為99.95%釕靶材，藉由反應式射頻磁控濺鍍系統來研究二氧化釕成長於奈米碳管上之複合物分析，和對於此複合物做初步電容測試探討。利用不同的濺鍍條件，基板成長的溫度不同，可控制晶系結構…
2
本研究以反應式離子束濺鍍沉積摻氮氧化鋅薄膜，以鋅為靶材，同時通入氬氣、氧氣及氮氣，固定氬氣流量，探討氧氣和氮氣流量對摻氮氧化鋅薄膜的特性研究。實驗結果顯示當氧氣流量介於0.5 ~ 2.0 sccm，…
3
本論文主要研究具有良好的發光特性材料，III-VI 族硒硫化鎵系列半導體GaSe1-xSx (0≤x≤1)，通過適當的硒硫成分變化來控制其光學特性，並分析放射螢光光譜以及區域掃描時間解析行為。在於這…
4
本研究利用反應式離子束濺鍍法成功地沉積了氧化鎳及氧化鎳摻銅薄膜，並且探討氧氣流量比對於氧化鎳薄膜的光電特性影響。研究結果顯示，在300C下沉積氧化鎳薄膜，當Opf = 0.5時有NiO (200)…
5
使用射頻磁控反應式濺鍍法製備異質奈米材料於SA(100)、SA(012) 、LTO(012)基板上。本實驗分為二部份，一為先行沉積金紅石結構二氧化鈦於以上各種基板上，探討金紅石結構二氧化鈦奈米柱形貌…
6
本論文以化學氣相傳導法並利用三氯化碘為傳導劑成長InSe和In6Se7硒化銦系列半導體，對此系列晶體進行晶體結構分析，並藉由光學及電學量測對其特性加以研究及討論。 藉由能量質譜儀量測確定成長材料之元…